WahanaNews.co | Samsung merayakan keberhasilannya merilis chip 3 nanometernya yang dinamai Gate-All-Around dan akan mulai diproduksi massal bulan ini.
Samsung diketahui mulai meneliti transistor GAA pada awal tahun 2000-an dan bereksperimen dengan desain pada 2017.
Baca Juga:
Buka Peluang Baru untuk Kesehatan Preventif dengan Galaxy Watch Terbaru dan BioActive Sensor
Dikutip dair GSM Arena, Selasa (26/7/2022), sekarang Samsung siap untuk memproduksi chip secara massal menggunakan proses baru.
Dibandingkan dengan desain FinFET, yang telah menjadi standar selama beberapa tahun desain Gate-All-Around memungkinkan transistor untuk membawa lebih banyak arus sementara tetap relatif kecil.
Menurut Samsung, chip GAA 3nm akan menggunakan daya 45 perseb lebih sedikit, 23 persen lebih cepat, dan 16 persen lebih kecil dibandingkan chip FinFET 5nm serupa.
Baca Juga:
Galaxy AI Semakin Diminati di Asia Tenggara dan Oseania
Samsung tidak mengatakan jenis chip apa yang ditebar untuk pengiriman pertama, tetapi perusahaan berencana untuk mengembangkan chipset smartphone menggunakan desain 3nm GAA.
TSMC juga akan memulai pembuatan massal chip 3nm akhir tahun ini, meskipun mereka masih akan menggunakan desain FinFET.
Nantinya perusahaan asal Taiwan itu akan beralih ke desain GAAFET dengan transisi ke node 2nm. [rin]
Ikuti update
berita pilihan dan
breaking news WahanaNews.co lewat Grup Telegram "WahanaNews.co News Update" dengan install aplikasi Telegram di ponsel, klik
https://t.me/WahanaNews, lalu join.
