Menurutnya, mereka telah "mengusulkan alternatif".
"Kami melakukan perhitungan ke dalam proses interaksi antara daya saat ini dan sumber cahaya dalam struktur hetero (seperti yang ditanam pada substrat, terdiri dari lapisan berbagai bahan) dan kristal laser semikonduktor daya tinggi. Berdasarkan ini, desain baru dari struktur hetero semikonduktor dan desain kristal laser dihasilkan untuk implementasi eksperimental selanjutnya," ujar Slipchenko.
Baca Juga:
Sarang Narkoba Kampung Bahari Digerebek Polisi, 31 Orang Ditangkap
Lapisan heterostruktur baru yang dioptimalkan, terdiri dari komposisi yang berbeda, menghasilkan kehilangan energi yang minimal.
Selain itu, para ilmuwan telah berhasil menciptakan teknologi yang disebut epitaksi selektif (sejenis pertumbuhan kristal) untuk laser berdaya tinggi, ketika struktur hetero dapat ditumbuhkan pada substrat yang disiapkan secara khusus.
Sebagai hasil dari penelitian terobosan, efisiensi laser semikonduktor daya tinggi melebihi 70%, yang merupakan dua kali lipat efisiensi laser solid-state dan fiber.
Baca Juga:
Pantau Pergerakan Polisi, Bandar Narkoba di Kampung Bahari Pakai CCTV hingga Drone
Tim peneliti juga berhasil mendapatkan pulsa laser dengan durasi 100 nanodetik dan dengan daya puncak lebih dari 1 kilowatt dari permukaan berukuran fraksi sentimeter persegi.
Nikita Pikhtin, profesor di Departemen Photonics di LETI dan kepala Pusat Fisika Struktur Nano Institut Ioffe, menjelaskan dalam laser berdaya tinggi, ukuran elemen dan daerah pancaran harus lebih besar, sehingga dapat mengubah jumlah energi yang lebih besar menjadi cahaya.
Tahap penelitian selanjutnya, yang dilakukan dengan dukungan finansial dari Yayasan Sains Rusia, adalah meningkatkan kecerahan spektral laser. [eta]
Ikuti update
berita pilihan dan
breaking news WahanaNews.co lewat Grup Telegram "WahanaNews.co News Update" dengan install aplikasi Telegram di ponsel, klik
https://t.me/WahanaNews, lalu join.